Вышедшие номера
Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии
Бородин П.А.1, Бухараев А.А.1, Филатов Д.О.2, Исаков М.А.2, Шенгуров В.Г.2, Чалков В.Ю.2, Денисов С.А.2
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si(001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si(001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge0.3Si0.7/Si(001) проявляют свойства гетероструктур I типа.