Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии

Бородин П.А.¹, Бухараев А.А.¹, Филатов Д.О.², Исаков М.А.², Шенгуров В.Г.², Чалков В.Ю.², Денисов С.А.²

¹Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, Kazan, Russia

Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, Kazan, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si(001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si(001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge_0.3Si_0.7/Si(001) проявляют свойства гетероструктур I типа.

B. Grandidier, Y.M. Niquet, B. Lagrand, J.P. Nys, C. Priester, D. Stievenard, J.M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Phys. Rev. Lett., 85, 1068 (2000)
K. Suzuki, K. Kanisawa, C. Janes, S. Perraud, K. Takashina, T. Fujisawa, Y. Hirayama. Phys. Rev. Lett., 98, 6802 (2007)
T. Maltezopoulos, A. Bolz, C. Meyer, C. Heyn, W. Hansen, M. Morgenstern, R. Wiesendanger. Phys. Rev. Lett., 91, 6804 (2003)
П.А. Бородин, А.А. Бухараев, Д.О. Филатов, Д.А. Воронцов, М.А. Лапшина. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 71 (2009)
Д.О. Филатов, П.А. Бородин, А.А. Бухараев. Поверхность. Рентгеновские. синхротронные и нейтронные исследования, в печати (2010)
A. Olbrich, B. Ebersberger, C. Boit. Appl. Phys. Lett., 73, 3114 (1998)
С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 204 (2001)
Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, М.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 42, 1116 (2008)
А.И. Машин, А.В. Нежданов, Д.О. Филатов, М.А. Исаков, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 44, 6272 (2010)
T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999)
А.А. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, К.М. Салихов. Микроэлектроника, 26, 163 (1997)
R.M. Feenstra, J.A. Stroscio. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 923 (1987)
В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП, 31, 171 (1997)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
Y. Shiraki, A. Sakai. Surf. Sci. R, 59, 153 (2005)
R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 48, 538 (1986)
L. Colombo, R. Resta, S. Baroni. Phys. Rev. B, 44, 5572 (1991)
S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 63, 2378 (1993)
D.C. Houghton, G.C. Aers, S.-R. Eric Yang, E. Wang, N.L. Rowell. Phys. Rev. Lett., 75, 866 (1995)
M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman, P. Boucaud. Phys. Rev. B, 73, 195 327 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель