Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии
Бородин П.А.1, Бухараев А.А.1, Филатов Д.О.2, Исаков М.А.2, Шенгуров В.Г.2, Чалков В.Ю.2, Денисов С.А.2
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.
Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si(001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si(001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge0.3Si0.7/Si(001) проявляют свойства гетероструктур I типа.
- B. Grandidier, Y.M. Niquet, B. Lagrand, J.P. Nys, C. Priester, D. Stievenard, J.M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Phys. Rev. Lett., 85, 1068 (2000)
- K. Suzuki, K. Kanisawa, C. Janes, S. Perraud, K. Takashina, T. Fujisawa, Y. Hirayama. Phys. Rev. Lett., 98, 6802 (2007)
- T. Maltezopoulos, A. Bolz, C. Meyer, C. Heyn, W. Hansen, M. Morgenstern, R. Wiesendanger. Phys. Rev. Lett., 91, 6804 (2003)
- П.А. Бородин, А.А. Бухараев, Д.О. Филатов, Д.А. Воронцов, М.А. Лапшина. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 71 (2009)
- Д.О. Филатов, П.А. Бородин, А.А. Бухараев. Поверхность. Рентгеновские. синхротронные и нейтронные исследования, в печати (2010)
- A. Olbrich, B. Ebersberger, C. Boit. Appl. Phys. Lett., 73, 3114 (1998)
- С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 204 (2001)
- Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, М.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 42, 1116 (2008)
- А.И. Машин, А.В. Нежданов, Д.О. Филатов, М.А. Исаков, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 44, 6272 (2010)
- T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999)
- А.А. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, К.М. Салихов. Микроэлектроника, 26, 163 (1997)
- R.M. Feenstra, J.A. Stroscio. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 923 (1987)
- В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП, 31, 171 (1997)
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
- Y. Shiraki, A. Sakai. Surf. Sci. R, 59, 153 (2005)
- R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 48, 538 (1986)
- L. Colombo, R. Resta, S. Baroni. Phys. Rev. B, 44, 5572 (1991)
- S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 63, 2378 (1993)
- D.C. Houghton, G.C. Aers, S.-R. Eric Yang, E. Wang, N.L. Rowell. Phys. Rev. Lett., 75, 866 (1995)
- M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman, P. Boucaud. Phys. Rev. B, 73, 195 327 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
