Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 4 » Статья стр. 535
<<<>>>
Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором
Лебедев М.В.1, Шерстнев В.В.1, Куницына Е.В.1, Андреев И.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
PDF версия
Исследуется влияние обработки раствором сульфида натрия (Na2S) в изопропиловом спирте на характеристики фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb и InAs/InAsSbP, измеряемые при комнатной температуре. В результате обработки спиртовым сульфидным раствором плотность темнового тока фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb при обратном смещении 0.1 В уменьшилась более чем в 25 раз, а фотодиодов InAs/InAsSbP - в 1.7 раза. При этом произведение сопротивления при нулевом смещении и площади устройства (R0A) увеличивалось для фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb от 1.0 до 25.6 Ом·см2, а для фотодиодов InAs/InAsSbP от 4.4·10-2 до 7.3·10-2 Ом·см2. Данный метод пассивации обеспечивает долговременную стабильность характеристик фотодиодов.
  1. M.H.M. Reddy, J.T. Olesberg, C. Cao, J.P. Prineas. Semicond. Sci. Technol., 21, 267 (2006).
  2. Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S.S. Kizhayev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 6636, 66360D (2007)
  3. I. Shafir, M. Katz, A. Sher, A. Raizman, A. Zussman, M. Nathan. Semicond. Sci. Technol., 24, 045 004 (2010)
  4. И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 653 (1997)
  5. X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, K. Oshimo, M. Aoyama, M. Kumagawa, N.L. Rowell. Appl. Surf. Sci., 113--114, 388 (1997)
  6. X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, T. Iida, T. Kato, M. Aoyama, Y. Suzuki, N. Sanada, Y. Fukuda, M. Kumagawa. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 55 (1998)
  7. A. Gin, Y. Wei, A. Hood, A. Bajowala, V. Yazdanpanah, M. Razeghi, M. Tidrow. Appl. Phys. Lett., 84, 2037 (2004)
  8. E. Plis, J.-B. Rodriguez, S.J. Lee S. Krishna. Electron. Lett., 42, 1248 (2006)
  9. P.Y. Delaunay, A. Hood, B.M. Nguyen, D. Hoffman, Y. Wei, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 91, 091 112 (2007)
  10. J. Hoffmann, T. Lehnert, D. Hoffmann, H. Fouckhardt. Semicond. Sci. Technol., 24, 065 008 (2008)
  11. A. Salesse, A. Joullie, P. Calas, J. Neito, F. Chevrier, Y. Cuminal, G. Ferblantier, P. Christol. Phys. Status Solidi C, 4, 1508 (2007)
  12. Z.Y. Liu, T.F. Kuech, D.A. Saulys. Appl. Phys. Lett., 83, 2587 (2003)
  13. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
  14. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, A.F. Ivankov, W. Bauhofer, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 133, 17 (1998)
  15. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Engin. B, 44, 380 (1997)
  16. R. Hakimi, M.C. Amann. Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
  17. K. Amarnath, R. Grover, S. Kanakaraju, P.-T. Ho. IEEE Phot. Technol. Lett., 17, 2280 (2005)
  18. R.W. Lambert, T. Ayling, A.F. Hendry, J.M. Carson, D.A. Barrow, S. McHendry, C.J. Scott, A. McKee, W. Meredith. J. Lightwave Technol., 24, 956 (2006)
  19. C. Huh, S.-W. Kim, H.-S. Kim, I.-H. Lee, S.-J. Park. J. Appl. Phys., 87, 4591 (2000)
  20. G.L. Martinez, M.R. Curiel, B.J. Skromme, R.J. Molnar. J. Electron. Mater., 29, 325 (2000)
  21. C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  22. M.V. Lebedev. J. Phys. Chem. B, 105, 5427 (2001)
  23. M.V. Lebedev. Chem. Phys. Lett., 419, 96 (2006)
  24. M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 254, 8016 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme