Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль неравновесного заряда в формировании термоэдс в примесном полупроводнике

Конин А.¹

¹Институт физики полупроводников Центра физических исследований и технологии, L Вильнюс, Литва

Поступила в редакцию: 4 октября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

PDF версия

Развита теория термоэдс, учитывающая неравновесный заряд, который возникает в дырочном полупроводнике и в металлических контактах. Показано, что формирование термоэдс обусловлено перераспределением неравновесного заряда между металлическими контактами и полупроводником, которое вызвано переносом неравновесных электронов из металла в полупроводник через одну из поверхностей и из полупроводника в металл через другую. В образце, толщина которого менее диффузионной длины, при определенных значениях поверхностных параметров термоэдс в дырочном полупроводнике нелинейно зависит от разности температур.

А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 23, 1235 (1989)
А.В. Ефанов, М.В. Энтин. ФТП, 20, 20 (1986)
Yu.G. Gurevich, G.N. Logvinov, I.N. Volovichev, G. Espejo, O.Yu. Titov, A. Meriuts. Phys. Status Solidi B, 231, 278 (2002)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
А. Конин. ФТП, 41, 282 (2007)
И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич. ФТП, 35, 321 (2001)
M. Krvcmar, W.M. Saslow. Phys. Rev. B, 65, 233 313 (2002)
A. Konin. Lithuan. J. Phys., 46, 233 (2006)
A. Konin. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 016 214 (2007)
Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
Г.П. Пека. Физические явления на поверхности полупроводников (Киев, Вища шк., 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель