Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние магнитного поля на электрофизические свойства поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина 
Поступила в редакцию: 30 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Обнаружены вызванные действием магнитного поля эффекты перестройки структурных дефектов на границе раздела полупроводник-металл. Анализ вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик свидетельствует о магнитостимулированном увеличении положительного заряда в диэлектрической прослойке, а также указывает на изменение плотности поверхностных состояний в зависимости от степени легирования исследуемых полупроводников.
- В.А. Макара, М.А. Васильев, Л.П. Стебленко, О.В. Коплак, А.Н. Курилюк, Ю.Л. Кобзарь, С.Н. Науменко. ФТП, 42 (9), 1061 (2008)
- Ш. Махкамов, Н.А. Турсунов, М. Ашуров, Р.П. Сандов, С.В. Мартынченко. ЖТФ, 69 (1), 121 (1999)
- А.А. Скворцов, А.М. Орлов, А.А. Соловьев, Д.И. Белов. ФТТ, 51 (12), 2304 (2009)
- Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 37 (4), 443 (2003)
- R.E. Stahlbush, G.J. Campisi, J.B. McKitterick, W. Maszara, P. Roitman. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 2086 (1992)
- M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
- П.В. Мельник, М.Г. Находкин, М.И. Федорченко. УФЖ, 44 (9), 1142 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
