На чистых и легированных кристаллах TlBr, выращенных методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену-Стокбаргеру, измерялся токовый отклик в поле источника gamma-излучения ¹³⁷Cs мощностью поглощенной дозы от 0.033 до 3.84 Гр/мин в диапазоне напряжений 1-300 В. Весовая доля вносимой примеси Pb в кристаллах TlBr составляла 1-10 млн^-1, а примеси Ca - 150 млн^-1. На номинально чистых образцах TlBr отклик фототока достаточно линеен в исследованном диапазоне мощностей доз. Глубокие дырочные уровни, связанные с катионными вакансиями V_c^-, определяли зависимость токового отклика от напряжения фототока в больших электрических полях. Были рассчитаны параметры переноса носителей тока mutau для кристаллов TlBr, выращенных в вакууме и в атмосфере брома, произведения mutau составили 4.3·10^-4 и 6.4·10^-5 см²B^-1 соответственно. На примесных кристаллах, легированных двухвалентным катионом, величина mutau была в пределах (4-9)·10^-5 см²B^-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.