Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри--Перо
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
Проведен анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в кристалле полупроводникового лазера Фабри-Перо с квантово-размерной активной областью. Установлено, что основными параметрами, влияющими на значение порога генерации замкнутой моды для выбранной лазерной гетероструктуры, являются: оптические потери в пассивной области, фактор оптического ограничения замкнутой моды в области усиления и расстройка материального усиления. Найдены соотношения, определяющие пороговые условия генерации замкнутой моды через оптические и геометрические характеристики полупроводникового лазера. Показано, что вследствие нулевых потерь на выход для замкнутой моды пороговые условия могут быть выполнены при меньшем значении материального усиления по сравнению с модой резонатора Фабри-Перо.
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
- G. Erbert, F. Bugge, J. Fricke, P. Ressel, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 11, 1217 (2005)
- Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
- P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Petrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.С. Тарасов. ПЖТФ, 32, 47 (2006)
- X. Wang, P. Crump, A. Petrzak, C. Schultz, A. Klehr, T. Hoffmann, A. Liero, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge, G. Erbert, G. Trankle. Proc. SPIE, 7198, 71981G (2009)
- С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
- H. Wenzel, P. Crump, A. Petrzak, C. Roder, X. Wang, G. Erbert. IEEE J. Quant. Electron., 41, 645 (2009)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 43, 1409 (2009)
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002).
- G.I. Ryabtsev, T.V. Bezyazychnaya, M.V. Bogdanovich, V.V. Parastchuk, A.I. Yenzhyieuski, L.I. Burov, A.S. Gorbatsevich, A.G. Ryabtsev, M.A. Shchemelev, V.V. Bozotosnyi, K.A. Shore, S. Banerjee. Appl. Phys. B, 90, 471 (2008)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N. Y., John Wiley \& Sons, 1995)
- С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, А.Ю. Лешко, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 45, (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
