Исследованы спектры спонтанного излучения оптических потерь и усиления в лазерной гетероструктуре с квантово-размерной активной областью InGaAs при различных уровнях оптической и электрической накачки. Показано, что накопление носителей заряда в активной области ведет к аннигиляции длинноволнового краевого пика в спектре поглощения. Установлено, что протекающий фототок препятствует накоплению фотогенерированных носителей заряда, в результате спектр поглощения сохраняет свою форму независимо от уровня оптической накачки. Продемонстрировано, что эффекты многочастичного взаимодействия носителей заряда приводят к нетемпературному сужению ширины запрещенной зоны квантово-размерной активной области InGaAs на величину до 30 мэВ и размытию длинноволнового края спектра усиления. В результате для лазерных диодов полосковой конструкции можно найти такой спектральный диапазон, в котором усиление в области полоскового контакта положительно, а потери в пассивных областях близки к нулю.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.