Вышедшие номера
Экситонный спектр квантовых ям ZnO/ZnMgO
Бобров М.А.1, Торопов А.А.1, Иванов С.В.1, El-Shaer A.2, Bakin A.2, Waag A.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Semiconductor Technology, TU Braunshweig, Braunschweig, Germany
Поступила в редакцию: 30 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Исследован экситонный спектр вюрцитных квантовых ям ZnO/Zn1-xMgxO с шириной порядка или более боровского радиуса экситона, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией кислорода на подложках сапфира (0001). Экспериментально измерены низкотемпературные (25 K) спектры возбуждения фотолюминесценции (ВФЛ), позволившие разрешить пики поглощения света экситонами в квантовой яме. Теоретически спектр экситонов в квантовой яме определен в результате численного решения уравнения Шредингера вариационным методом. Величина упругих напряжений в структуре, используемая в расчете, определялась путем теоретического моделирования измеренных спектров оптического отражения. Сравнение эксперимента с теорией позволило определить наблюдаемые особенности в спектрах ВФЛ как экситоны, включающие нижний уровень размерного квантования электронов и два первых уровня дырок для A- и B-валентных зон вюрцитного кристалла. Уточнены значения масс электронов и дырок в ZnO и оценена величина встроенного электрического поля, определяемого спонтанной и пьезоэлектрической поляризациями.