Вышедшие номера
Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/ AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs в сильных электрических полях
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Рагуотис Р.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 22 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Вычислена (методом Монте-Карло) полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs. Исследовано влияние изменения мольной доли Al в составе барьеров квантовой ямы AlxGa1-xAs и AlxIn1-xAs на подвижность и дрейфовую скорость электронов в сильных электрических полях. Показано, что подвижность электронов растет с уменьшением доли Al x в составе барьеров. В квантовых ямах In0.5Ga0.5As/ In0.8Al0.2As максимальное значение подвижности превышает подвижность в объемном материале в 3 раза. Повышение доли Al x в барьере приводит к росту порогового поля Eth междолинного переброса (эффект Ганна). В гетероструктурах In0.5Ga0.5As/Al0.5In0.5As пороговое поле составляет Eth=16 кВ/см, в In0.2Ga0.8As/Al0.3Ga0.7As - Eth=10 кВ/см. В гетероструктурах с наивысшей подвижностью электронов Eth=2-3 кВ/см, что меньше Eth=4 кВ/см в объемном InGaAs.