Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/ AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs в сильных электрических полях
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Рагуотис Р.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 22 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
Вычислена (методом Монте-Карло) полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs. Исследовано влияние изменения мольной доли Al в составе барьеров квантовой ямы AlxGa1-xAs и AlxIn1-xAs на подвижность и дрейфовую скорость электронов в сильных электрических полях. Показано, что подвижность электронов растет с уменьшением доли Al x в составе барьеров. В квантовых ямах In0.5Ga0.5As/ In0.8Al0.2As максимальное значение подвижности превышает подвижность в объемном материале в 3 раза. Повышение доли Al x в барьере приводит к росту порогового поля Eth междолинного переброса (эффект Ганна). В гетероструктурах In0.5Ga0.5As/Al0.5In0.5As пороговое поле составляет Eth=16 кВ/см, в In0.2Ga0.8As/Al0.3Ga0.7As - Eth=10 кВ/см. В гетероструктурах с наивысшей подвижностью электронов Eth=2-3 кВ/см, что меньше Eth=4 кВ/см в объемном InGaAs.
- H. Zhao, Y.-T. Chen, J.H. Yum, Y. Wang, F. Zhou, F. Xue, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 96, 102 101 (2010)
- N. Dyakonova, A. El Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap. Appl. Phys. Lett., 88, 141 906 (2006)
- N. Dyakonova, F. Teppe, J. Lusakovski, W. Knap, M. Levinshtein, A.P. Dmitriev, M. Shur, S. Bollacrt, A. Cappy. J. Appl. Phys., 97, 114 313 (2005)
- W.J. Stillman, M.S. Shur. J. Nanoelectron. Optoelectron., 2, 209 (2007)
- J. Pov zela, A. Namajunas, K. Pov zela, V. Juciene. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007) [Semiconductors, 41, 1074 (2007)]
- В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009) [Semiconductors, 43, 458 (2009)]
- J. Pov zela, K. Pov zela, A. Shkolnik, A. Suv ziedelis, V. Juciene, S. Mikhrin, V. Mikhrin. Phys. Status Solidi C, 6, 2713 (2009)
- I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
- N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, А. Сужеделис, А.С. Школьник, С.С. Михрин, В.С. Михрин, ФТП, 43, 1634 (2009) [Semiconductors, 43, 1590 (2009)]
- T.P. Pearsall, R. Carles, J.S. Portal. Appl. Phys. Lett., 42, 436 (1983).
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю.А. Матвеев, Е.А. Климов, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, Ч. Пашкевич, В. Юцене. ФТП, 44, 928 (2010) [Semiconductors, 44, 898 (2010)]
- X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053 706 (2005)
- V. Drouot, M. Gendry, C. Santinelli, P. Victorovicth, G. Hollinger. J. Appl. Phys., 77, 1810 (1995)
- J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene, A. Shkolnik. Semicond. Sci. Technol., 26, 014025 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук