Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Рудинский М.Э.1, Ронжин О.И.1, Ситникова А.А.1, Шахмин А.А.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Егоров А.Ю.2, Земляков В.Е.3, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
Проведено исследование распределения свободных носителей заряда по глубине HEMT-структур с квантово-размерными слоями методом электрохимического вольт-емкостного профилирования. Показано, что реальное распределение концентрации свободных носителей и их энергетический спектр в канале HEMT-структуры могут быть получены из численного моделирования результатов профилирования на основе самосогласованного решения одномерных уравнений Шредингера и Пуассона.
- T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 19, L225 (1980)
- S. Hiyamizu, T. Mimura, T. Fujii, K. Nanb. Appl. Phys. Lett., 37, 805 (1980)
- T.J. Drummond, R. Fischer, H. Morkoc, P. Miller. Appl. Phys. Lett., 40, 430 (1982)
- T.J. Drummond, W. Kopp, R.E. Thorne, R. Fischer, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 40, 879 (1982)
- J.J. Rosenberg, M. Benlamri, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, G.L. Petit. IEEE Electron Device Lett., EDL-6, 491 (1985)
- B. Jogai. Appl. Phys. Lett., 66, 436 (1995)
- B. Jogai. J. Appl. Phys., 76, 2316 (1994)
- B. Jogai, C.E. Stitz. J. Appl. Phys., 78, 2531 (1995)
- K. Inoue, H. Sakaki, J. Yoshino, T. Hotta. J. Appl. Phys., 58, 4277 (1985)
- Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40, 1479 (2006)
- Yu-Shyan Lin, Shih-Kai Liang, You-Song Lin. J. Electrochem. Soc., 156, H401 (2009)
- А.Ю. Егоров, А.Г. Гладышев, Е.В. Никитина, Д.В. Денисов, Н.К. Поляков, Е.В. Пирогов, А.А. Горбацевич. ФТП, 44, 950 (2010)
- N. Pan, J. Carter, X.L. Zheng, H. Hendriks, C.H. Wu, K.C. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 58, 71 (1991)
- H. Kroemer, W.Y. Chien, J.C. Harris, jr., D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36, 295 (1980)
- X. Letartre, D. Stievenard, E. Barbier. J. Appl. Phys., 58, 1047 (1991)
- В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
- P.N. Brunkov, T. Banyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
- P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
- A.T.R. Briggs, J.P. Stagg. Semicond. Sci. Technol., 3, 469 (1988)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2 т. (М., Мир, 1984)
- R.G. Wilson, F.A. Stevie, C.W. Magee. Secondary Ion Mass Spectrometry. A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis (Wiley, 1989)
- T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Reviews Modern Physics, 54, 437 (1982)
- F. Stern, S. Das Sarma. Phys. Rev. B, 30, 840 (1984)
- T. Ando, H. Taniyama, N. Ohtani, M. Nakayama, M. Hosoda. J. Appl. Phys., 94, 4489 (2003)
- E.A.B. Cole. Mathematical and Numerical Modelling of Heterostructure Semiconductor Devices: From Theory to Programming (London, Springer-Verlag, 2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
