Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 6 » Статья стр. 829
<<<>>>
Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Рудинский М.Э.1, Ронжин О.И.1, Ситникова А.А.1, Шахмин А.А.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Егоров А.Ю.2, Земляков В.Е.3, Конников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
PDF версия
Проведено исследование распределения свободных носителей заряда по глубине HEMT-структур с квантово-размерными слоями методом электрохимического вольт-емкостного профилирования. Показано, что реальное распределение концентрации свободных носителей и их энергетический спектр в канале HEMT-структуры могут быть получены из численного моделирования результатов профилирования на основе самосогласованного решения одномерных уравнений Шредингера и Пуассона.
  1. T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 19, L225 (1980)
  2. S. Hiyamizu, T. Mimura, T. Fujii, K. Nanb. Appl. Phys. Lett., 37, 805 (1980)
  3. T.J. Drummond, R. Fischer, H. Morkoc, P. Miller. Appl. Phys. Lett., 40, 430 (1982)
  4. T.J. Drummond, W. Kopp, R.E. Thorne, R. Fischer, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 40, 879 (1982)
  5. J.J. Rosenberg, M. Benlamri, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, G.L. Petit. IEEE Electron Device Lett., EDL-6, 491 (1985)
  6. B. Jogai. Appl. Phys. Lett., 66, 436 (1995)
  7. B. Jogai. J. Appl. Phys., 76, 2316 (1994)
  8. B. Jogai, C.E. Stitz. J. Appl. Phys., 78, 2531 (1995)
  9. K. Inoue, H. Sakaki, J. Yoshino, T. Hotta. J. Appl. Phys., 58, 4277 (1985)
  10. Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40, 1479 (2006)
  11. Yu-Shyan Lin, Shih-Kai Liang, You-Song Lin. J. Electrochem. Soc., 156, H401 (2009)
  12. А.Ю. Егоров, А.Г. Гладышев, Е.В. Никитина, Д.В. Денисов, Н.К. Поляков, Е.В. Пирогов, А.А. Горбацевич. ФТП, 44, 950 (2010)
  13. N. Pan, J. Carter, X.L. Zheng, H. Hendriks, C.H. Wu, K.C. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 58, 71 (1991)
  14. H. Kroemer, W.Y. Chien, J.C. Harris, jr., D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36, 295 (1980)
  15. X. Letartre, D. Stievenard, E. Barbier. J. Appl. Phys., 58, 1047 (1991)
  16. В.Я. Алешкин, Е.В. Демидов, Б.Н. Звонков, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, 25, 1047 (1991)
  17. P.N. Brunkov, T. Banyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
  18. P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
  19. A.T.R. Briggs, J.P. Stagg. Semicond. Sci. Technol., 3, 469 (1988)
  20. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2 т. (М., Мир, 1984)
  21. R.G. Wilson, F.A. Stevie, C.W. Magee. Secondary Ion Mass Spectrometry. A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis (Wiley, 1989)
  22. T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Reviews Modern Physics, 54, 437 (1982)
  23. F. Stern, S. Das Sarma. Phys. Rev. B, 30, 840 (1984)
  24. T. Ando, H. Taniyama, N. Ohtani, M. Nakayama, M. Hosoda. J. Appl. Phys., 94, 4489 (2003)
  25. E.A.B. Cole. Mathematical and Numerical Modelling of Heterostructure Semiconductor Devices: From Theory to Programming (London, Springer-Verlag, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme