На основе теории функций Грина и модели связывающих орбиталей определена электронная структура локальных дефектов - вакансий, а также их компенсированных состояний в полупроводниках A^IIIB^VI. Определены энергетические уровни в запрещенной зоне, вычислены изменения электронной плотности в полупроводниках GaS, GaSe, InSe с анионной и катионной вакансией и компенсацией этих вакансий. Установлено, что при компенсации вакансий атомом элемента той же подгруппы с такой же тетраэдрической координацией, ионный радиус которого меньше ионного радиуса замещенного атома, локальные уровни, образованные при введении вакансий, полностью исчезают. Показано, что этот механизм позволяет не только восстановить параметры кристалла, но и улучшить его характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.