Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния сульфидной и ультрафиолетовой обработок поверхности n-i-GaAs на параметры омических контактов
1Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия 
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
3ООО "Субмикронные технологии", Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
3ООО "Субмикронные технологии", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
Исследована возможность улучшения параметров омических контактов на основе AuGe/Ni и Ge/Cu к n-i-GaAs с помощью модификации предварительно окисленной поверхности GaAs в сульфидсодержащем растворе, а также посредством воздействия ультрафиолетовым излучением, генерируемым эксимерной KrCl-лампой, на халькогенизированную поверхность. Показано, что предварительное окисление поверхности n-i-GaAs с последующей ее халькогенизацией позволяет уменьшить плотность поверхностных состояний, увеличить воспроизводимость процесса пассивации поверхности, а также в 1.5 раза уменьшить приведенное контактное сопротивление омических контактов AuGe/Ni. Обработка халькогенизированной поверхности n-i-GaAs ультрафиолетовым излучением с длиной волны lambda=222 нм и плотностью мощности излучения W=12 мВт·см-2, выполняемая в вакууме перед осаждением металлических слоев омических контактов Ge/Cu, позволяет уменьшить приведенное контактное сопротивление на 25-50%, а также улучшить морфологические характеристики поверхности контактной площадки.
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 11 (1998)
- C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, C.C. Chang, J.P. Harbinson. Appl. Phys. Lett., 54, 362 (1989)
- H.-C. Chiu, Y.-C. Huang, L.-B. Chang, F.-T. Chein. Semicond. Sci. Technol., 23, 11 (2008)
- H.-C. Chiu. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 3 (2008)
- H.-C. Chiu, Y.-C. Huang, L.-B. Chang, F.-T. Chien. Semicond. Sci. Technol., 23, 3 (2008)
- H.-C. Chiu, Y.-C. Huang, C.-W. Chen, L.-B. Chang. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (2008)
- H.-C. Chiu, L.-B. Chang, C.-W. Chen, Y.-J. Li, Y.-J. Chan. Electrochem. Sol.-St. Lett., 9, 10 (2006)
- C.J. Sandro, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
- M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52, 2157 (1988)
- J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys., 27, L1331 (1988)
- H.H. Lee, R.J. Racicot, S.H. Lee. Appl. Phys. Lett., 54, 724 (1989)
- K.C. Hwang, S.S. Li. J. Appl. Phys., 67, 2162 (1990)
- Y. Wang, Y. Darici, P.H. Holloway. J. Appl. Phys., 71, 2746 (1992)
- J.R. Waldrop. J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 1197 (1985)
- Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшкин, В.Д. Стругин. ЖТФ, 56, 913 (1986)
- N. Barbouth, Y. Berthier, J. Oudar, J.-M. Moison, M. Bensoussan. J. Electrochem. Soc., 133, 1663 (1986)
- L. Koenders, M. Blomacher, W. Monch. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1416 (1988)
- L. Roberts, G. Hughes, B. Fennema, M. Carbery. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1862 (1992)
- M.G. Nooney, V. Liberman, R.M. Martin. J. Vac. Sci. Technol. A, 13, 1837 (1995)
- G.Y. Gu, E.A. Ogryzlo, P.C. Wong, M.Y. Zhou, K.A.R. Mitchell. J. Appl. Phys., 72, 762 (1992)
- R.S. Bhide, S.V. Bhoraskar, V.J. Rao. J. Appl. Phys., 72, 1464 (1992)
- C.J. Sandro, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
- S.-Y. Cheng, S.-I. Fu, T.-P. Chen, P.-H. Lai, R.-C. Liu, K.-Y. Chu, L.-Y. Chen, W.-C. Liu. IEEE Trans. Dev. Mater. Reliability, 6, 4 (2006)
- H.H. Berger. Sol. St. Electron., 15, 145 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
