Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 13 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.
Исследован процесс анодного окисления слоев кремния-на-изоляторе в зависимости от толщины слоя Si в диапазоне от 5 до 500 нм. Обнаружено, что уменьшение толщины пленки отсеченного кремния до величин менее 100 нм сопровождается резким снижением скорости анодного окисления. Для пленок кремния-на-изоляторе толщиной менее или порядка 10 нм предельная толщина окисленного слоя кремния составляет 0.4 нм. Показано, что основной причиной снижения эффективности анодного тока при окислении слоев Si нанометровой толщины является увеличение сопротивления рабочего слоя кремния, ограничивающее поток дырок в плоскости пленки и, как следствие, количество катионов кремния, поступающих к границе SiO2/электролит для последующего их окисления.
- M. Ieong, B. Doris, J. Kedziersli, K. Rim, M. Yang. Science, 306, 2057 (2004)
- S. Saito, D. Hisamoto, H. Shimizu, H. Hamamura, R. Tsuchiya, Y. Matsui, T. Mine, T. Arai, N. Sugii, K. Torii, S. Kimura, T. Onai. Jpn. J. Appl. Phys., 45, L679 (2006)
- P. Zhang, R. Tevaarwerk, B.-N. Park, D.E. Savage, G. Celler, I. Knezevic, P.G. Evans, M.A. Eriksson, M.G. Laggaly. Nature, 439, 703 (2006)
- V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.S. Mardegzhov, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. Mater. Sci. Eng. B, 73, 82 (2000)
- H. Omi, T. Kawamura, Y. Kobvayashi, S. Fujikawa, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, J. Matsui. Appl. Phys. Exp., 2, 126 503 (2009)
- A. Ohata, M. Casse, Sorin Cristoloveanu, T. Porioux. Mobility issues in ultra-thin SOI MOSFETs: thikness variations, GIFBE and coupling effects (ESSDERC, 2004) p. 109
- K. Uchida, J. Koga, S.-I. Takagi. J. Appl. Phys., 102, 074 510 (2007)
- И.Р. Щелпакова, Б.М. Аюпов, П.Б. Орлов, О.И. Щербакова, И.Г. Юделевич. Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук, 7 (3), 40 (1982)
- G. Mende. Semicond. Micromachin., 2, 263 (1998)
- С.Дж. Дель'Ока, Д.Л. Пулфри, Л. Янг. Анодные окисные пленки. В кн.: Физика тонких пленок, под ред. М.Х. Франкомба, Р.У. Гофмана (М., Мир, 1973) т. VI, с. 12
- В.П. Попов, И.Е. Тысченко. Патент РФ N 2217842 (Бюл. N 33, 27.11.2003)
- А.В. Двуреченский, В.Г. Серяпин. Анодное окисление кремния (Новосибирск, Ин-т физики полупроводников СО АН СССР, 1977) с. 12
- Л. Юнг. Анодные окисные пленки. (Л., Энергия, 1967) с. 115 [Пер. с англ.: L. Young. Anodic Oxide Films (Academic Press, London--N.Y., 1961)].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
