Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 9 » Статья стр. 1188
<<<>>>
Компенсация проводимости p-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
Лебедев А.А.1, Козловский В.В.2, Белов С.В.1, Богданова Е.В.1, Оганесян Г.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
PDF версия
Проведено исследование скорости удаления носителей заряда (VD) в p-6H-SiC при его облучении протонами с энергией 8 МэВ. Образцы p-6H-SiC были получены методом сублимации в вакууме. Величина VD определялась как на основе анализа вольт-фарадных характеристик, так и на основе данных измерения эффекта Холла. Было обнаружено, что полная компенсация образцов с исходным значением Na-Nd~1.5·1018 см-3 происходила при дозе облучения ~1.1·1016 см-2. Скорость удаления носителей при этом составила ~130 см-1.
  1. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62m 165 (1999)
  2. Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 12, 2918 (1970)
  3. A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova, P.L. Abramov, S.P. Lebedev, D.K. Nel'son, G.A. Oganesyan, A.S. Tregubova, R. Yakimova. Semicond. Sci. Technol., 23 075004S (2008)
  4. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  5. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantxev and M.S. Shur, (John Wiley \& Sons, Ins., 2001)
  6. H. Matsuura, K. Aso, S. Kagamihara, H. Iwata, T. Ishida, K. Nishikawa. Appl. Phys. Lett., 83, 4981 (2003)
  7. V.V. Kozlovski, E.V. Bogdanova, V.V. Emtsev, K.V. Emtsev, A.A. Lebedev, V.N. Lomasov. Mater. Sci. Forum, 483--485, 383 (2005)
  8. В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)
  9. В.В. Емцев, А.М. Иванов, В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Г.А. Оганесян, Н.Б. Строкан. ФТП, 44, 706 (2010)
  10. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  11. N. Iwamoto, S. Onoda, S. Hishiki, T. Ohshima, M. Murakami, I. Nakano, K. Kawano. Mater. Sci. Forum, 600--603, 1043 (2009)
  12. M. Mikelsen, U. Grossner, J.H. Bleka, E.V. Monakhov, B.G. Svensson, R. Yakimova, A. Henry, E. Janzen, A.A. Lebedev. Mater. Sci. Forum, 600--603, 425 (2009)
  13. В.Т. Громов. Введение в радиационную физику твердого тела (Снежинск, Изд. ВНИИТФ, 2007)
  14. H.J. von Bardeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10 126 (2000)
  15. А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумаров, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоатомиздат, 1985)
  16. Р.Ф. Коноплева, В.И. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием (М., Атомиздат, 1975)
  17. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  18. А.М. Иванов, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан, Б. Шмидт. ФТП, 29, 543 (1995)
  19. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Ranges of Ions in Solids (N.Y., Pergamon Press, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme