Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре
Григорьев М.М.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Впервые продемонстрирована интерфейсная люминесценция на одиночной гетерогранице II типа в системе соединений InAs/InAsSbP при комнатной температуре. Экспериментально подтверждено, что одиночная гетероструктура InAs/InAsSbP является ступенчатым гетеропереходом II типа. В гетероструктуре n-InAs/n-InAsSbP образование электронного канала на гетерогранице на стороне n-InAs не приводило к возникновению излучательной интерфейсной люминесценции, тогда как гетероструктура p-InAs/p-InAsSbP при обратном смещении демонстрировала интерфейсную люминесценцию, обусловленную излучательными переходами дырок с заполненных поверхностных состояний, локализованных на гетерогранице. Обнаружение интенсивной интерфейсной люминесценции, соизмеримой по интенсивности с объемной, открывает новые возможности в создании многоцветных светоизлучающих диодов и интегральных оптоэлектронных матриц для среднего ИК-диапазона 3-5 мкм.
- Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 20, 20 (1994)
- А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, П. Кубат, К.Д. Моисеев, С. Цивиш, Ю.П. Яковлев. ФТП, 35, 375 (2001)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев, Письма ЖТФ, 27, 80 (2001)
- А.П. Астахова, А.С. Головин, Н.Д. Ильинская, К.В. Калинина, С.С. Кижаев, О.Ю. Серебренникова, Н.Д. Стоянов, Zs.J. Horvath, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 4, 278 (2010)
- М.П. Михайлова, А.А. Рогачев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 10, 8 (1976)
- H. Kroemer, G. Griffiths. IEEE Electr. Dev. Lett., 4, 20 (1983)
- B. Wilson. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1763 (1988)
- Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова. Т.И. Данилова, А.Н. Именков, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33, 351 (1999)
- L. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
- К.Д. Моисеев. Автореферат диссертации к.ф.-м.н., ФТИ им. А.Ф. Иоффе (СПб., 1994)
- Landolt-Bornstein. Handbook. Numerical Data, Ser. III, Springer, Berlin, Heidelberg, 1982, v. 17a. (O. Madelung, ed.) p. 264; 1987, v. 22a (K.-H. Hellwege, ed.) p. 305
- M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol, 9, 1279 (1994)
- M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
- А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 67, 1957 (1994)
- E.R. Gertner, D.T. Cheung, A.M. Andrews, J.T. Longo. J. Electron. Mat., 6, 163 (1977)
- K.D. Moiseev, E. Ivanov, V. Romanov, M. Mikhailova, Yu. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. v Simev cek. Physics Procedia, 3, 1189 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.