Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотопроводимость пленок PbTe(In) с варьируемой микроструктурой
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Университет Бен-Гуриона, Бир Шева, Израиль
3Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
2Университет Бен-Гуриона, Бир Шева, Израиль
3Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
Поступила в редакцию: 20 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
В работе показано, что микроструктура и особенности формирования поверхностных состояний в нано- и поликристаллических пленках PbTe(In) наиболее существенно влияют на характер фотопроводимости в области спектра 1-2.5 ТГц. Представлены результаты исследования и сравнительного анализа характера проводимости пленок PbTe(In) в области температур от 4.2 до 300 K в статическом режиме и в переменных электрических полях с частотой до 1 МГц, при подсветке белым светом и под действием импульсов мощных терагерцовых лазеров с длиной волны до 280 мкм.
- Z. Dashevsky, R. Kreizman, M.P. Dariel. J. Appl. Phys. 98, 094309 (2005)
- Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 20, 34 (1986); ФТП, 20, 38 (1986); ФТП, 21, 1352 (1987)
- R. Kreizman, N. Traistman, M. Shaked, Z. Dashevsky, M.P. Dariel. Key Eng. Materials, 336--338, 875 (2007)
- B.S. Kang, H.-T. Wang, L.-C. Tien, F. Ren, B.P. Gila, D.P. Norton, C.R. Abernathy, J. Lin, S.J. Pearton. Sensors, 6 (6), 643 (2006)
- T. Komissarova, D. Khokhlov, L. Ryabova, Z. Dashevsky, V. Kasiyan. Phys. Rev. B, 75, 195326 (2007)
- A. Dobrovolsky, V. Chernichkin, I. Belogorokhov, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, L. Ryabova, D. Khokhlov. Phys. Status Solidi (C) 7, 869 (2010)
- С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 35 (7), 297 (1982). [S.D. Ganichev, S.A. Emel'yanov, I.D. Yaroshetskii. JETP Lett., 35 (7), 368 (1982)]
- S.D. Ganichev, W. Prettl. Intense Terahertz Excitation of Semiconductors (Oxford University Press, Oxford, 2006)
- С.Д. Ганичев, Я.В. Терентьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 11, 46 (1985) [S.D. Ganichev, Ya.V. Terent'ev, I.D. Yaroshetskii. Sov. Tech. Phys. Lett., 11, 20 (1985)]
- D. Khoklov, L. Ryabova, A. Nicorici, V. Shklover, S. Ganichev, S. Danilov, V. Bel'kov. Appl. Phys. Lett., 93, 264103 (2008)
- A. Dobrovolsky, T. Komissarova, B. Akimov, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, D. Khokhlov, L. Ryabova. Int. J. Mater. Res., 100, 1252 (2009)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
- A.A. Dobrovolsky, Z.M. Dashevsky, V.A. Kasiyan, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Semicond. Sci. Technol., 24, 075010 (2009)
- А.А. Добровольский, Т.А. Комиссарова, З.М. Дашевский, В.А. Касиян, Б.А. Акимов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 43, 265 (2009)
- Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
