Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 14 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
Изучено поведение времени жизни неравновесных носителей заряда taup, обратного тока IR и прямого падения напряжения UF в электронно-облученных (Eirr=6 МэВ) промышленных p+-n-n+-диодах при температурах облучения в интервале Tirr=20-400oC. Исследования проводились на образцах, изготовленных на монокристаллическом Si, легированном фосфором в процессе выращивания по Чохральскому (КЭФ) и с помощью ядерных реакций (КОФ). Показано, что путем выбора температурного режима технологического облучения, можно решить проблему достижения малых значений taup при минимальном росте UF и IR в быстродействующих диодах. Установлено, что при сопоставимых изменениях величины taup в базовом слое диодов, наилучшее соотношение UF и IR в образцах на КЭФ наблюдается при Tirr=300oC, а в образцах на КОФ - при Tirr=350oC.
- В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
- N. Jankovic, P. Igic, N. Sakurai. Sol. St. Electron., 54 (3), 268 (2010)
- А.М. Сурма. Электричество, N 9, 20 (2006)
- P. Hazdra, J. Vobecky, H. Dorschner, K. Brand. J. Microelectron., 35, 249 (2004)
- Патент US N 7049674. Опубл. 23.05.2006. Патент BY N 11307. Опубл. 05.08.2008
- В.Н. Губарев, А.М. Сурма, А.В. Ковров. Прикладная физика, N 4, 85 (2001)
- И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович. Письма ЖТФ, 36 (10), 45 (2010)
- Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович. Изв. НАНБ. Сер. ф-м.н., 46 (3), 81 (2010)
- А.В. Синицын, В.С. Вавилов, В.Б. Глазман. ФТП, 8, 471 (1974)
- Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко. ФТП, 17, 540 (1983)
- Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко, В.Т. Трощинский. ДАН БССР, 29, 523 (1985)
- Т.А. Пагава. ФТП, 40, 919 (2006)
- Т.А. Пагава, Н.И. Майсурадзе. ФТП, 43, 750 (2009)
- B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
- Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Мн., Наука и техника, 1978)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. Л.С. Смирнова. (Новосибирск, Наука, 1980)
- Ф.П. Коршунов, И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович, В.Т. Трощинский. ДАН БССР, 32, 781 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
