Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 12 » Статья стр. 1637
<<<>>>
Нитридная химическая паcсивация поверхности GaAs (100): влияние на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs
Берковиц В.Л.1, Львова Т.В.1, Улин В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.
PDF версия
Исследовалось влияние химической нитридизации подложек GaAs в гидразин-сульфидном растворе на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs. При такой нитридизации на поверхности GaAs формируется сплошная пассивирующая пленка нитрида галлия монослойной толщины, которая обеспечивает практически прямой контакт полупроводника с наносимым на него металлом. Структуры Au/GaAs, изготовленные на нитридизированных подложках, имеют коэффициенты идеальности, близкие к единице, и характеризуются также малым разбросом значений высоты потенциального барьера. Продолжительный прогрев таких структур при 350oC не меняет значений указанных параметров. Полученные результаты показывают, что нитридный монослой, формируемый на поверхности GaAs при обработке в гидразин-сульфидных растворах, эффективно препятствует миграции атомов через межфазную границу металл-полупроводник.
  1. И.В. Седова, Т.В. Львова, В.П. Улин, С.В. Сорокин, Ф.И. Анкудинов, В.Л. Берковиц, С.В. Иванов, П.С. Копьев. ФТП, 36. 59 (2002)
  2. F. Capasso, G.F. Williams. J. Electrochem. Soc., 20, 45 (1082)
  3. Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко. ФТП, 36, 91 (2002)
  4. R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13 509 (1992)
  5. C. Detavernier, R.L. Van Meirhaeghe, R. Donaton, F. Cardon. J. Appl. Phys., 84, 3226 (1998)
  6. L. Kogut, K. Komvopoulos. J. Appl. Phys., 97, 073 701 (2005)
  7. T.C.G. Reusch, M. Wenderoth, L. Winking, N. Quaas, R.G. Ulbrich. Appl. Phys. Lett., 87, 093 103 (2005)
  8. M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, E.A. Irene. Phys. Rev. B, 58, 15 878 (1998)
  9. A. Masuda, Y. Yonezawa, A. Morimoto, T.Shimizu. Jpn. J. Appl. Phys., 34, pt I, 1075 (1995)
  10. В.Г. Антипов, А.С. Зубрилов, А.В. Меркулов, С.А. Никишин, А.А. Ситникова, М.В. Степанов, С.И. Трошков, В.П. Улин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 29, 1812 (1995)
  11. S.J. Pearton, E.E. Haller, A.G. Elliot. Appl. Phys. Lett., 44, 684 (1984)
  12. G. Bruno. Appl. Surf. Sci., 235, 239 (2004)
  13. V.L. Berkovits, V.P. Ulin, M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Perna, V. Capozzi. Appl. Phys. Lett., 80, 3739 (2002)
  14. V.L. Berkovits, V.P. Ulin, O.E. Tereshchenko, D. Paget, A.C. Rowe, P. Chiaradia, B.P. Doyle, S. Nannarone. J. Electrochem. Soc., 158, D127 (2011)
  15. Т.В. Львова, В.Л. Берковиц, М.С. Дунаевский, В.М. Лантратов, И.В. Макаренко, В.П. Улин. ФТП, 37, 59 (2003)
  16. V.L. Berkovits, D. Paget, A.N. Karpenko, V. P. Ulin, O.E. Tereshchenko. Appl. Phys. Lett., 90, 022 105 (2007)
  17. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  18. A. Filipe, H.-J. Drouhin, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Nagle, J. Peretti, V. I. Safarov, A. Schuhl. Phys. Rev. Lett., 80, 2425 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme