Вышедшие номера
Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
Неведомский В.Н.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащих два слоя сопряженных полупроводниковых квантовых точек InAs, заращенных тонким буферным слоем GaAs и слоем низкотемпературного арсенида галлия. При последующем отжиге в слое низкотемпературного GaAs формировался массив нановключений (металлических квантовых точек) As. Изучено изменение микроструктуры образцов в зависимости от температуры и условий отжига. Установлено, что при относительно низких температурах отжига (400-500oС) формирование массива металлических квантовых точек As слабо зависит от наличия полупроводниковых квантовых точек InAs в предшествующих слоях. Металлические квантовые точки As имеют при этом характерный размер около 2-3 нм после отжига при 400oC и 4-5 нм после отжига при 500oС в течение 15 мин. Отжиг при 600oС в течение 15 мин в ростовой установке приводит к укрупнению металлических квантовых точек As до 8-9 нм и формированию групп таких точек в области низкотемпературного GaAs, непосредственно прилегающей к отделенным буферным слоям полупроводниковых квантовых точек InAs. Более длительный отжиг при повышенной температуре (760oС) в атмосфере водорода вызывает дальнейшее увеличение размеров металлических квантовых точек As до 20-25 нм и их пространственное смещение в область между сопряженными полупроводниковыми квантовыми точками InAs.