Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств

Буравлев А.Д.^1,2,3, Цырлин Г.Э.^1,2,4, Романов В.В.⁵, Баграев Н.Т.^1,5, Брилинская Е.С.⁵, Лебедева Н.А.³, Новиков С.В.³, Lipsanen H.³, Дубровский В.Г.^1,2,5

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Aalto, F, Finland
⁴Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

⁵Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 июля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Метод молекулярно-пучковой эпитаксии использован для синтеза массивов (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs(111)B в диапазоне ростовых температур 480-680^oC. Установлено, что формирование полученных нитевидных нанокристаллов может быть описано в рамках механизма "пар-жидкость-кристалл". Показано, что рост (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов должен происходить в условиях, стабилизированных по галлию. Выявлено, что полевые и температурные зависимости статической магнитной восприимчивости образцов, полученных при температуре 660^oC, демонстрируют парамагнитное поведение.

H. Ohno. Science, 281, 951 (1998)
M.A. Ruderman, C. Kittel. Phys. Rev., 96, 99 (1954)
Y.J. Zhao, T. Shishido, A.J. Freeman. Phys. Rev. Lett., 90, 047 204 (2003)
M. Wang, R.P. Campion, A.W. Rushforth, K.W. Edmonds, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Appl. Phys. Lett., 93, 132 103 (2008)
W.B. Jian, Z.Y. Wu, R.T. Huang, F.R. Chen, J.J. Kai, C.Y. Wu, S.J. Chiang, M.D. Lan, J.J. Lin. Phys. Rev. B, 73, 233 308 (2006)
M.I. van der Meulen, N. Petkov, A. Morris, O. Kazakova, X. Han, K.L. Wang, A.P. Jacob, J.D. Holmes. Nano Lett., 9, 50 (2009)
A.D. Bouravlev, S. Mitani, R.M. Rubinger, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev, T. Ishibashi, A. Koukitu, K. Takanashi, K. Sato. Phys. E, 40, 2037 (2008)
A.L. Schmitt, J.M. Higgins, S. Jin. Nano Lett., 8, 810 (2008)
J. Sadowski, P. Dluzewski, S. Kret, E. Janik, E. Lusakowska, J. Kanski, A. Presz, F. Terki, S. Charar, D. Tang. Nano Lett., 7, 2724 (2007)
A. Rudolph, M. Soda, M. Kiessling, T. Wojtowicz, D. Schuh, W. Wegscheider, J. Zweck, C. Back, E. Reiger. Nano Lett., 9, 3860 (2009)
F. Martelli, S. Rubini, M. Piccin, G. Bais, F. Jabeen, S. de Franceschi, V. Grillo, E. Carlino, F. D'Acapito, F. Boscherini S. Cabrini, M. Lazzarino, L. Businaro, F. Romanato, A. Franciosi. Nano Lett., 6, 2130 (2006)
R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, N.V. Sibirev, F. Jabeen, J.C. Harmand, P. Werner. Nano Lett., 11, 1247 (2011)
Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, Н.К. Поляков, В.П. Улин, В.Г. Дубровский, P. Werner. ФТП, 45, 441 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель