Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 2 » Статья стр. 219
<<<>>>
Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
Закгейм А.Л.1, Левинштейн М.Е.2, Петров В.П.2, Черняков А.Е.1, Шабунина Е.И.2, Шмидт Н.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования спектральной плотности шума и ее зависимости от плотности тока в исходных и деградировавших синих светодиодах на основе InGaN/GaN квантоворазмерных структур. Показано, что генерация дефектов в процессе деградации происходит неоднородно и концентрируется вдоль протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов. Выяснено, что снижение значений внешней квантовой эффективности в процессе старения вызвано усилением неоднородности протекания тока, приводящим к формированию шунтов и областей локального перегрева. Эти эффекты - причины, типичного для синих светодиодов, неоднозначно развития деградационного процесса, затрудняющего прогнозирование срока службы светодиодов. В узком диапазоне плотностей тока 10-2-10-1 А/см2, соответствующему развитию излучательной рекомбинации, обнаружен эффект подавления шума.
  1. M.S. Shur, A. Zukauskas. Proc. IEEE Solid-State Lighting: Toward Superior Illumination (2005) v. 93, p. 1691
  2. А.Э. Юнович, П.С. Копьёв. Тез. докл. Междунар. форума по нанотехнологиям (М., Россия, 2008) т. 1, с. 119
  3. M. Georg. Craford Proceeding of First International Conference on White LEDs and Solide State Lighting (2007) v. 1, p. 5
  4. U. Zehnder, A. Weimar, U. Strauss, M. Fehrer, B. Hahn, H.J. Lugauer, V. Harle. J. Cryst. Growth, 230, 497 (2001)
  5. G. Meneghesso, M. Meneghini, E. Zanoni. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 354 007 (2010)
  6. А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 33, 224 (1999)
  7. M. Meneghini, N. Trivelli, K. Orita, S. Takigava, M. Yuri, T. Tanaka, D. Ueda, E. Zanoni, G. Meneghesso. IEEE Electron. Dev. Lett., 30, 356 (2009)
  8. T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno. Appl. Phys. Lett., 69, 830 (1996)
  9. Shigetaka Tomiya et al. Phys. Status Solidi A, 200, 139, (2003)
  10. Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 122 (2006)
  11. N.G. Gardner, G.O. Muller, Y.C. Shen, S. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 91, 243 506 (2007)
  12. M. Albrecht, T. Schulz, J. Weyher, B. Lucznik, P. Prystawko. Proc. 8th Int. Workshop BIAMS 2006 p. 28
  13. L.K.J. Vandamme. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 2176 (1994)
  14. Г.П. Жигальский. УФН, 173, 465 (2003)
  15. S. Bychikhin, D. Poganya, L.K.J. Vandamme, G. Meneghesso, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 97, 123 714 (2005)
  16. T.G.M. Kleinpenning. Physica B, 98, 293 (1980)
  17. M.Yu. Perov, N.V. Baidus, A.V. Belyakov, G.A. Maksimov, A.V. Moryashin, S.M. Nerorkin, L.K.J. Vandamme, A.V. Yakimov, B.N. Zvonkov. Proc. 17th Int. Conf. on noise and fructuations (ICNF, 2003, Czech Republic) p. 393
  18. S.K. Jeon, J.G. Lee, E.H. Park, J.H. Jang, J.G. Lim, S.K. Kim, J.S. Park. Appl. Phys. Lett., 94, 131106 (2009)
  19. M. Meneghini, A. Tazzoli, G. Mura, G. Meneghesso, E. Zanoni. IEEE Trans. Electron. Dev., 57, 108 (2010)
  20. N. Shmidt, A. Besyul'kin, M. Dunaevsky et al. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 025 (2002)
  21. A.V. Ankudonov, A.I. Basyul'kin, A.G. Kolmakov, et. al. Physica B, 462, 340 (2003)
  22. A.V. Kamanin, A.G. Kolmakov, P.S. Kop'ev, G.A. Onushkin, A.V. Sakharov, N.M. Shmidt, D.S. Sizov, A.A. Sitnikova, A.L. Zakgeim, R.V. Zolotareva, A.S. Usikov. Phys. Status Solidi, 3, 2129 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme