Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров

Васильева В.В.¹, Винокуров Д.А.¹, Золотарев В.В.¹, Лешко А.Ю.¹, Петрунов А.Н.¹, Пихтин Н.А.¹, Растегаева М.Г.¹, Соколова З.Н.¹, Шашкин И.С.¹, Тарасов И.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 июля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

PDF версия

Для осуществления селективной обратной связи в полупроводниковом лазере предложено создавать в одном из эмиттеров глубокую дифракционную решетку с большим периодом (~2 мкм). Расчеты частотной зависимости коэффициента отражения в 12-м порядке дифракции для прямоугольных, треугольных и трапециевидных дифракционных решеток показали, что для получения максимального коэффициента отражения волноводной моды в лазерной структуре следует использовать дифракционную решетку глубиной ~2 мкм прямоугольной или трапециевидной формы. С использованием фотолитографических методов и реактивного ионного травления в эмиттере Al_0.3Ga_0.7As лазерной структуры GaAs/AlGaAs были созданы глубокие дифракционные решетки трапециевидной формы с большим периодом.

С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщёв, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
J. Fricke, F. Bugge, A. Ginolas, W. John, A. Klehr, M. Matalla, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. IEEE Photon. Technol. Lett., 22, 284 (2010)
H. Kogelnik, C.V. Shank. J. Appl. Phys., 43, 2327 (1972)
Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 1359 (1972)
Р.Ф. Казаринов, З.Н. Соколова, Р.А. Сурис. Письма ЖТФ, 1 (4), 188 (1975); ЖТФ, 46, 229 (1976)
З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. Письма ЖТФ, 3 (16), 832 (1977)
С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Semiconductor Lasers (New York Press, 1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель