Выставление онлайн: 20 января 2012 г.
11.713.5pt Шестого июня 2011 года на 85-ом году ушел из жизни доктор физико-математических наук, профессор Виктор Ильич Фистуль. В. И. Фистуль был одним из крупных российских ученых в области физики полупроводниковых материалов, научные заслуги которого признаны как в нашей стране, так и за рубежом. Он был удостоен почетного звания "заслуженный деятель науки и техники России", был лауреатом двух Государственных премий CCCP, награжден орденом "Знак Почета" и медалями. После окончания Ленинградского политехнического института в 1949 г. В. И. Фистуль работал на заводе "Уралэлектроаппарат" в г. Свердловске мастером ОТК, инженером и старшим инженером заводской лаборатории. С 1952 г. по 1977 г. Виктор Ильич работал в институте "Гиредмет" и одновременно по совместительству с 1962 г. преподавал в МИТХТ им. М. В. Ломоносова. В 1977 г. он возглавил в МИТХТ им. М. В. Ломоносова кафедру "Технология полупроводниковых материалов" и перешел туда на постоянную работу. В 1985 г. по его инициативе в МИТХТ им. М. В. Ломоносова была организована кафедра физики и химии твердого тела, которую он возглавлял вплоть до 1991 г. [!t] В. И. Фистуль был признанным в мире авторитетом в области физического материаловедения полупроводников. Его научные результаты отражены более чем в 200 статьях и 18 монографиях. Монографии "Сильнолегированные полупроводники" и "Примеси переходных металлов в полупроводниках" (в соавторстве с Э. М. Омельяновским) переведены на английский язык и изданы в США и Англии. В. И. Фистуль был замечательным лектором, умевшим в яркой и доступной форме излагать студентам сложные вопросы физики полупроводников и полупроводникового материаловедения. Он автор нескольких учебников - "Введение в физику полупроводников" (1975 г., 1984 г.), "Новые материалы" (1995 г.) "Физика и химия твердого тела" в 2-х томах (1995 г.), которые до настоящего времени используются в учебном процессе. В. И. Фистулем было подготовлено 6 докторов и 45 кандидатов наук. Со дня основания журнала "Физика и техника полупроводников" на протяжении многих лет он был членом редколлегии журнала. Виктор Ильич был обаятельным, доброжелательным и всесторонне образованным человеком, замечательным собеседником. Светлую память о Викторе Ильиче Фистуле навсегда сохранят все, кому посчастливилось с ним работать и общаться. Сотрудники кафедры физики и химии твердого тела, кафедры материалов микро-, опто- и наноэлектроники МИТХТ им. М. В. Ломоносова, Редколлегия журнала Физика и техника полупроводников", коллеги и друзья выражают свои соболезнования
- В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45, 1130 (2011)
- J.H. Kim, K.H. Yoon. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 20, 879 (2009)
- Y. Nakano, T. Jumbo. Appl. Phys. Lett., 82, 218 (2003)
- C. Baban, Y. Toyoda, M. Ogita. J. Optoelectron. and Advanced Mater., 7 (2), 891 (2005)
- T. Schwebel, M. Fleischer, H. Meixner. Sensors Actuators B: Chemical, 65, 176 (2000)
- Z. Liu, T. Yamazaki, Y. Shen, T. Kikuta, N. Nakatani, Y. Li. Sensors Actuators B: Chemical, 129, 666 (2008)
- J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 143, 192 (2009)
- J.-T. Yan, C.-T. Lee. Sensors Actuators B: Chemical, 147, 723 (2010)
- M. Bartic, C.-I. Baban, H. Suzuki, M. Ogita, M. Isai. J. Amer. Ceramic Soc. 90, 2879 (2007)
- Y. Li, A. Trinchi, W. Wlodarski, K. Galatsis, K. Kalantar-zadeh. Sensors Actuators B: Chemical, 93, 431 (2003)
- M. Fleischer. Measurement Sci. Technol., 19, 042 001 (2008)
- Z. Li, B. Zhao, P. Liu, Y. Zang. Mictroelectron. Eng., 85, 1618 (2008); Microelectron Eng. 87, 690 (2010)
- C.T. Lee, H.W. Chen, F.T. Hwang, H.Y. Lee. J. Electron Mater., 34, 282 (2005)
- В.И. Гаман, В.И. Косинцев, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, N 6, 18 (1987)
- H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey. Phys. Rev. B, 74, 195 123 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.