Вышедшие номера
Картирование усиления двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка
Семин С.В.1,2, Шерстюк Н.Э.1, Мишина Е.Д.1, Герман К.3, Кулюк Л.3, Расинг Т.2, Пенг Л.-Х.4
1Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
2Институт молекул и материалов, Университет Наймегена, НР Наймеген, Нидерланды
3Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
4Факультет электротехники и Институт фотоники и оптоэлектроники, Национальный университет Тайваня, Тайпей, Тайвань (КНР)
Поступила в редакцию: 5 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Приведены результаты экспериментального исследования в режиме картирования образца при комнатной температуре двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка, представляющих собой свободно стоящие совокупности микростержней. Получены спектры двухфотонной люминесценции в экситонной области для отдельных микростержней. Степенная зависимость роста интенсивности люминесценции от мощности оптической накачки с показателем степени n>2 и наличие пороговой мощности, характеризующейся отклонением от квадратичной зависимости в экситонной области, свидетельствуют о возникновении усиления света в отдельном микростержне оксида цинка и условий, предшествующих лазерной генерации.