Вышедшие номера
Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения. II. Сравнение с экспериментом
Атакулов Ш.Б.1, Зайнолобидинова С.М.1, Набиев Г.А.2, Тухтаматов О.А.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию: 6 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Для трех групп поликристаллических пленок полупроводников проведено экспериментальное исследование влияния угла падения света относительно плоскости подложки на амплитуду и знак эффекта аномального фотонапряжения. В соответствии с теорией, развитой ранее, исследованы пленки, в которых имелась возможность обеспечения на границах кристаллитов истощающего изгиба зон, инверсионного изгиба зон с сохранением надбарьерного механизма токопереноса и инверсионного изгиба зон с механизмом токопереноса вдоль инверсионных каналов. Все три типа границ кристаллитов обнаруживаются в пленках n-PbTe. Экспериментально установлено, что для первого и третьего типов границ наблюдается инверсия знака аномального фотонапряжения, для второго типа инверсии нет. К первому типу пленок относятся пленки Si, где возможен только истощающий изгиб зон, там наблюдается инверсия знака аномального фотонапряжения. Установлено полное соответствие теории и эксперимента.