Вышедшие номера
Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения. I. Механизм явления
Атакулов Ш.Б.1, Зайнолобидинова С.М.1, Набиев Г.А.2, Тухтаматов О.А.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию: 16 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Предолжена модель поликристаллического полупроводника, соответствующая его реальной структуре, и на основе этой модели развит механизм аномальных фотовольтаических эффектов (возникновение аномального фотонапряжения, его зависимость от угла освещения, аномальный фотомагнитный эффект). Считается, что потенциальные барьеры, вносящие неоднородность в пространственное распределение фотоносителей, возникают вследствие захвата основных носителей заряда на поверхностные состояния границ кристаллитов. Эффект существенно зависит от амплитуды барьера: если изгиб зон у границ кристаллитов истощающий, эффект определяется пространственным разделением основных фотоносителей барьером, в противном случае (инверсионный изгиб зон) эффект формируется за счет разделения неосновных фотоносителей. В основе механизма лежат анизотропия поглощения света объемом поликристалла (истощающий изгиб зон) или геометрическая неоднородность пленок, вызванная косым напылением при получении (инверсионный изгиб зон). Причиной анизотропного поглощения света является отражение света границами кристаллитов.