Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О зависимости подвижности носителей тока от электрического поля в кристаллах моноселенида галлия

Абдинов А.Ш.¹, Бабаев Р.Ф.¹, Рзаев Р.М.¹

¹Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 17 октября 2011 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При T=77-350 K, E=<2.5·10³ В/см исследована зависимость подвижности носителей тока от электрического напряжения в чистых и легированных атомами гадолиния кристаллах моноселенида галлия с различным темновым удельным сопротивлением (rho_d.r.~10⁴-10⁸ Ом·см при 77 K) и уровнем легирования (N=10^-5, 10^-4, 10^-3, 10^-2, 10^-1 ат %). Установлено, что в области T=<150 K в чистых высокоомных (rho_d.r.>=10⁴ Ом·см) и слабо легированных (N=<10^-2 ат %) кристаллах имеет место зависимость подвижности свободных носителей от приложенного к образцу электрического напряжения с E>=10² В/см. Выяснено, что эта зависимость не связана с разогревом носителей тока электрическим полем, а обусловлена стиранием дрейфовых барьеров за счет инжекции.

Б.Г. Тагиев, А.Р. Гаджиев. Докл. АН АзССР, 42 (8), 24 (1986)
Г.А. Ахундов, А.Ш. Абдинов, А.Г. Кязымзаде, Н.М. Мехтиев. ФПТ, 7 (10), 2030 (1973)
А.Ш. Абдинов, Я.Г. Акперов, В.К. Мамедов, Эль.Ю. Салаев. ФТП, 15 (1), 113 (1981)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) гл. 2, с. 25
Р.Ф. Мехтиев, Г.Б. Абдуллаев, Г.А. Ахундов. Докл. АН АзССР, 18 (6), 11 (1962)
А.М. Гусейнов, Т.И. Садыхов. Электрофизические свойства полупроводников и плазмы газового разряда (СПб., Баку, АГУ, 1989) с. 42
А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева, Р.М. Рзаев, А.Т. Багирова, Ш.А. Аллахвердиев. Докл. НАН Азербайдажана, 63 (4), 29 (2006)
А.Ш. Абдинов, Я.Г. Гасанов, Ф.И. Мамедов. ФТП, 6, 993 (1982)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) гл. 14, с. 454
Э. Конуэлл. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970) гл. 4, с. 225
А.Ш. Абдинов, А.Г. Кязым-заде, А.А. Ахмедов. ФТП, 12 (9), 1759 (1978)
М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
В.И. Тагиров, А.Г. Кязым-заде, М.М. Панахов. Изв. вузов. Физика, 24 (6), 28 (1981)
Э.Д. Головкина, Н.А. Левченя, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 383 (1976).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель