Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
Сибирёв Н.В.1,2, Tchernycheva M.1,3,4, Цырлин Г.Э., Patriarche G.4, Harmand J.C.4, Дубровский В.Г.1,2,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Institute d'Electronique Fondamentale, Universite Paris-Sud F Orsay, France
4CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Проведены экспериментальные и теоретические исследования кинетики роста нитевидных нанокристаллов GaN на поверхности Si(111) в отсутствие катализатора. Безкаталитические нитевидные нанокристаллы GaN были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с AlN-вставками, что позволяет определить их вертикальную скорость роста. Развита модель формирования нитевидных нанокристаллов GaN и получено выражение для скорости роста. Показано, что зависимость скорости роста от диаметра в общем случае имеет минимум. Значение диаметра, при котором наблюдается минимум скорости роста, монотонно возрастает с увеличением диффузионного потока Ga с боковой поверхности.
- M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys.--2 lett., 36 (4B), L459 (1997)
- M.A. Sancehez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F.J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, R. Beresford. J. Cryst. Growth, 183 (1--2), 23 (1998)
- В.В. Мамутин, Н.А. Черкашин, В.А. Векшин, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов. ФТТ, 43 (1), 146 (2001)
- M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Traves, G. Patriarche, J.C. Harmand, S. Dang Le, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien. Nanotechnology, 18 (38), 385 306 (2007)
- R. Calarco, R.J. Meijers, R.K. Debnath, T. Stoica, E. Sutterand, H. Luth. Nano Lett., 7 (8), 2248 (2007)
- O. Landre, C. Bourgeol, H. Renevier, B. Daudin. Nanotechnology, 20 (41), 415 602 (2009)
- В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43 (12), 1585 (2009)
- V. Consonni, M. Knelangen, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 98, 071 913 (2011)
- J.C. Johnson, H.-J. Choi, K.P. Knutsen, R.D. Schaller, P. Yang, R.J. Saykally. Nature Mater., 1, 106 (2002)
- E. Calleja, M.A. Sanchez-Garcia, F.J. Sanchez, F. Calle, F.B. Naranjo, E. Munoz, U. Jahn, K. Ploog. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 826 (2000)
- Yu Huang, X. Duan, Yi Cui, C.M. Lieber. Nano Lett., 2 (2), 101 (2002)
- M. Sakai, Y. Unose, K. Ema, T. Ohtsuki, H. Sekiguchi, A. Kikuchi, K. Kishino. Appl. Phys. Lett., 97, 151 109 (2010)
- J. Ristic, E. Calleja, S. Fernandez-Garrido, L. Cerytti, A. Trampert, U. Jahn, K.H. Ploog. J. Cryst. Growth, 310, 4035 (2008)
- V. Consonni, M. Knelangen, L. Geelhaar, A. Trampert, H. Riechert. Phys. Rev. B, 81, 085 310 (2010)
- В.В. Мамутин. Письма ЖТФ, 25 (18), 55 (1999)
- M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Travers, G. Patriache, L. Lagreau, O. Maugin, J.C. Harmand, L.S. Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien. Phys. Status Solidi C, 5 (6), 1556 (2008)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирёв, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирёв, М.А. Тимофеева. ФТП, 43 (9), 1267 (2009)
- В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирёв. Письма ЖТФ, 32 (24), 10 (2006)
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, W.H. Chen, R. Larde, E. Cadel, P. Pareige, T. Xu, B. Grandidier, J.P. Nys, D. Stievenard, M. Moewe, L.C. Chyang, C. Chang-Hasnain. Phys. Rev. B, 79, 205 316 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
