Вышедшие номера
Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников
Сейсян Р.П.1, Савченко Г.М.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Объяснена зависимость интегрального поглощения в образцах Al0.15Ga0.85As от магнитного поля, наблюдаемая экспериментально при 1.7 K. Установлено, что эта зависимость представляет собой конкуренцию двух механизмов: рост интегрального поглощения, связанный с увеличением силы осциллятора вследствие сжатия волновой функции экситона магнитным полем, и падение, обусловленное магнитным вымораживанием заряженных рассеивающих центров. На основе анализа интегрального поглощения показано, что в рассмотренных образцах в магнитном поле возникают диамагнитные экситонные поляритоны.