Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Обнаружение третьего уровня (A⁺) вакансии ртути в Cd_xHg_1-xTe

Гасан-заде С.Г.¹, Стриха М.В.¹, Шепельский Г.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 15 ноября 2011 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В соединениях Cd_xHg_1-xTe обнаружено существование ранее неизвестного мелкого акцепторного состояния (глубина залегания ~1 мэВ), принадлежащего не примеси, а собственному дефекту полупроводникового кристалла. Из анализа экспериментальных данных сделан вывод, что это состояние является третьим уровнем вакансии ртути V_Hg, возникающим благодаря захвату нейтральным акцептором дополнительной дырки (состояние A⁺).

H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc., 128, 2609 (1981)
В.И. Туринов. ФТП, 38, 1129 (2004)
L.Z. Sun, X.S. Chen, Y.L. Sun, X.G. Zhou, Zh.J. Quan, He Duan, Wei Lu. Phys. Rev. B, 73, 195 206 (2006)
И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю Г. Сидоров, В.С. Варавин, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев. Письма ЖТФ, 34 (22), 64 (2008)
В.В. Богобоящий ФТП, 35, 34 (2001)
С.М. Городецкий, Н.С. Жданович, Ю.И. Равич. ФТП, 7, 1270 (1973)
С.Г. Гасан-заде, М.В. Стриха, Г.А. Шепельский. ФТП, 42, 431 (2008)
M. Strikha, F. Vasko. Phys. Status Solidi B, 181, 447 (1994)
М. Ланно, Ж. Бургуен. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1984)
А.С. Давыдов. Квантовая механика (М., Наука, 1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель