Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О растворимости серы в кремнии

Шуман В.Б.¹, Махова А.А.¹, Астров Ю.А.¹, Иванов А.М.¹, Лодыгин А.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 февраля 2012 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

PDF версия

Анализируются имеющиеся литературные экспериментальные данные о максимально возможной концентрации растворенной в кремнии серы в зависимости от температуры. Полученные нами в последнее время результаты показывают, что значение растворимой в кристаллах кремния серы примерно в 2 раза превышает справочные данные, что согласуется с данными ряда других исследований.

A.M. Stoneham, A.J. Fisher, P.T. Greenland. J. Phys. Condens. Matter, 15, L447 (2003)
R.O. Carlson, R.N. Hall, E.M. Pell. J. Phys. Chem. Sol., 8, 81 (1959)
E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
S.D. Brotherton, M.J. King, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52, 4649 (1981)
F. Rollert, N.A. Stolwijk, H. Mehrer. Appl. Phys. Lett., 63, 506 (1993)
N. Sclar. J. Appl. Phys., 52, 5207 (1981)
Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
Н.С. Жданович, Ю.И. Козлов. ФТП, 10, 1846 (1976)
P. Wagner, C. Holm, R. Oeder, W. Zulehner. Chalcogens as point defects in silicon. Advances in Sol. St. Phys., ed by P. Grosse (Braunschweig, Vieweg, 1984) 3, 191
В.Р. Реньян. Технология полупроводникового кремния (М., Металлургия, 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель