Вышедшие номера
Закономерность изменения кристаллохимических, электрофизических и поверхностных физико-химических свойств материалов AXB8-X от энергии обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта
Федяева О.А.1
1Омский государственный технический университет, Омск, Россия
Поступила в редакцию: 6 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

На основе обобщения большого экспериментального материала о структуре, составе, адсорбционных и электрофизических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников впервые установлена закономерность изменения их кристаллохимических, электрофизических и поверхностных (адсорбционных, электрофизических) свойств в зависимости от энергии обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта. Отмечено совпадение величин этой энергии с энергией образования и гибели точечных дефектов в твердых телах, определяемой дилатометрическим и калориметрическим методами. Для соединений AIIBVI получены эмпирические формулы изменения ширины запрещенной зоны, температуры плавления и микротвердости в зависимости от энергетической плотности в кислороде. На основе установленной закономерности найдены значения микротвердости полупроводниковых материалов HgS, HgSe, Cd0.12Hg0.88Te, отсутствующие в справочной литературе.