Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S3)x(CuIn5S8)1-x
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 6 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
На монокристаллах соединений In2S3, CuIn5S8 и твердых растворах (In2S3)x(CuIn5S8)1-x, выращенных методом Бриджмена (вертикальный вариант), проведены исследования спектров пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения при 80 и 295 K. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и твердых растворов на их основе, а также построены ее концентрационные зависимости. Показано, что ширина запрещенной зоны с параметром состава x при 80 и 295 K изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
- Ф.Г. Донника, С.И. Радауцан, С.А. Семилетов, И.Г. Мустя. Кристаллические структуры неорганических соединений (Кишинев, Штиинца, 1974)
- C. Paorici, L. Zanotti, L. Gastaldi. Mater. Res. Bull., 14, 469 (1979)
- L. Gastaldi, L. Scaramuzza. Acta Crystallogr., 36B, 2751 (1980)
- К. Чопра. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
- S. Sebentritt. Solar Energy, 77, 767 (2004)
- B. Asenjo. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 480--481, 151 (2005)
- T. Schulmeyer, A. Klein, R. Kniese, M. Powalla. Appl. Phys. Lett., 85, 961 (2004)
- S. Sterner, J. Malmstrom, L. Stolt. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 13, 179 (2005)
- T.T. John, S. Bini, Y. Kashiwaba, T. Abe, Y. Yasuhiro, C.S. Kartha, K.P. Vijayakuma. Semicond. Sci. Technol., 18, 491 (2003)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
- S.H. Choe, T.H. Bang, N.O. Kim, H.G. Kim, C.I. Lee, M.S. Jin, S.K. Oh, W.T. Kim. Semicond. Sci. Technol., 16, 98 (2001)
- E. Dalas, L. Kobotiatis. J. Mater. Sci., 28, 6595 (1993)
- A. Usujama, S. Takeuchi, S. Endo, T. Irie. J. Appl. Phys., 20, L505 (1981)
- C. Paorici, L. Zanotti. Mater. Res. Bull., 14, 469 (1979)
- И.В. Боднарь. ЖНХ, 47, 1947 (2002)
- M. Sugiyama, N. Mitani, K. Yoshino, T. Ikari, H. Nakanishi, S.F. Chichibu. Jpn. J. Appl. Phys., 39S, 96 (2000)
- И.В. Боднарь, В.А. Иванов, В.А. Гайсин, Б.С. Кулинкин. Опт. и спектр., 82, 430 (1997).
- J.A. Van Vechten, T.K. Bergstresser. Phys. Rev. B, 1, 3351 (1970)
- R. Hill. J. Phys. C, 7, 521 (1974).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
