Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/p-InAs

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Теруков Е.И.², Ушакова Т.Н.², Сергинов М.С.³

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Туркменский государственный университет им. Махтумгули, Ашхабад, Туркменистан

Поступила в редакцию: 22 марта 2012 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

PDF версия

Впервые методом поверхностного термического взаимодействия арсенида индия с нормальной воздушной атмосферой Земли получены гетероструктуры, представляющие собой контакт тонкой пленки собственного окисла Ox арсенида индия с пластиной InAs. Исследованы первые вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фоточувствительности гетероструктур Ox/p-InAs. Впервые для этих гетероструктур обнаружено выпрямление и анализируются спектральные зависимости фоточувствительности. Сделан вывод о возможности использования новой технологии для получения широкополосных фотодетекторов оптического излучения Ox/p-InAs.

Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1963)
В.И. Стафеев. ФТП, 44, 232 (2010)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. Р.А. Суриса. В 2-х кн. (М., Мир, 1973)
Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель