Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках

Ижнин И.И.¹, Мынбаев К.Д.², Якушев М.В.³, Ижнин А.И.¹, Фицыч Е.И.⁴, Баженов Н.Л.², Шиляев А.В.², Савицкий Г.В.¹, Jakiela R.⁵, Сорочкин А.В.³, Варавин В.С.³, Дворецкий С.А.³

¹Научно-исследовательский институт материалов НПП "Карат", Львов, Украина
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁴Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

⁵Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland

Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland

Поступила в редакцию: 27 марта 2012 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных на кремниевых подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данные измерений фотолюминесценции указывают на высокое структурное совершенство пленок, а данные исследования эффекта Холла в сочетании с низкоэнергетической ионной обработкой - на низкую концентрацию остаточных доноров (~ 5· 10¹⁴ см^-3). В пленках выявлено наличие акцепторных состояний, предположительно связанных с захватом примесей на структурные дефекты, типичные для сильно рассогласованных гетероэпитаксиальных структур.

М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45, 396 (2011)
S. Farrell, G. Brill, Y. Chen, P.S. Wijewarnasuriya, M.V. Rao, N. Dhar, K. Harris. J. Electron. Mater., 39, 43 (2010)
М.В. Якушев, А.К. Гутаковский, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 956 (2011)
L. Bubulac, J. Benson, R. Jacobs, A. Stoltz, M. Jaime-Vasquez, L. Almerida, A. Wang, L. Wang, R. Hellmer, T. Golding, J. Dinan, M. Carmody, P. Wijewarnasuriya, M. Lee, M. Vilela, J. Peterson, S. Johnson, D. Lofgreen, D. Rhiger. J. Electron. Mater., 40, 280 (2011)
P. Boieriu, C.H. Grein, S. Velicu, J. Garland, C. Fulk, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett., 88, 062106 (2006)
M. Carmody, D. Edwall, J. Ellsworth, J. Arias, M. Groenert, R. Jacobs, L.A. Almeida, J.H. Dinan, Y. Chen, G. Brill, N.K. Dhar. J. Electron. Mater., 36, 1098 (2007)
А.А. Андронов, Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомельков, А.А. Бабенко, В.С. Варавин, Д.Г. Икусов, Р.Н. Смирнов. ФТП, 42, 177 (2008)
К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 900 (2011)
И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, Н.А. Смирнова, И.А. Денисов, М. Поцяск, К.Д. Мынбаев. ФТП, 45, 1166 (2011)
M. Pociask, I.I. Izhnin, E.S. Ilyina, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Acta Phys. Polon. A, 114, 1191 (2008)
С.R. Becker, T.N. Casselman, C.H. Grein, S. Sivananthan. In: Molecular Beam Epitaxy of HgCdTe Materials and Detectors, vol. 6: Devices and Applications of Comprehensive Semiconductor Science and Technology, ed. by P. Bhattacharya, R. Formari, H. Kamimura (Amsterdam, Elsevier, 2011) p. 141
M.V. Yakushev, A.A. Babenko, V.S. Varavin, V.V. Vasil'ev, L.V. Mironova, D.N. Pridachin, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov. Proc. SPIE, 6636, 663 611 (2007)
I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, M. Pociask, R.Ya. Mudryy, A.V. Voitsekhovskii, N.Kh. Talipov. Physica B, 404, 5025 (2009)
I. Izhnin, V. Bogoboyashchyy, A. Kotkov, A. Moiseev, N. Grishnova. Proc. SPIE, 5957, 595 716 (2005)
I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, R. Jakiela, M. Pociask, G. Savitsky. Phys. Status Solidi C, 7, 1618 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель