Вышедшие номера
Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb
Берковиц В.Л.1, Гордеева А.Б.1, Львова Т.В.1, Улин В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.

Методами электронной оже-спектроскопии и спектроскопии анизотропного отражения исследовались монослойные пленки нитрида галлия, сформированные на поверхности (001)GaAs путем химической нитридизации в гидразин-сульфидных растворах. Обнаружено, что оже-сигнал азота N KLL в нитридной пленке сдвинут в сторону больших кинетических энергий на ~17.2 эВ по сравнению с аналогичным сигналом для объемного кристалла GaN. Наблюдаемый сдвиг обусловлен спецификой конфигурации валентных орбиталей атомов азота, терминирующих нитридизованную поверхность (001)GaAs. У этих атомов одна из валентных орбиталей не образует химической связи и занята неподеленной парой электронов. Предложенная конфигурация подтверждается результатами анализа спектров анизотропного отражения нитридизованной поверхности (001)GaAs. Впервые выполнены опыты по химической нитридизации поверхности GaSb. Оже-спектры нитридизованной поверхности (001)GaSb оказываются подобны спектрам нитридизованной поверхности (001)GaAs. Это свидетельствует об аналогичном характере химических процессов на этих поверхностях и формировании монослойной нитридной пленки на поверхности GaSb.