Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и delta-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
Представлены сравнительные измерения адмиттанса в мезадиодах на подложке из n+-GaAs и в кольцевых планарных диодных структурах на подложке i-GaAs, содержащие delta-слой Si и квантовую яму InGaAs в эпитаксиальном слое GaAs. Показана возможность определения профиля концентрации и подвижности электронов в окрестности delta-слоя и квантовой ямы InGaAs из анализа одновременно измеренных вольт-фарадных и вольт-симменсных характеристик в мезадиодах. При подобных измерениях в кольцевых диодных структурах на i-GaAs c данной геометрией структуры достоверно можно было определить только профиль концентрации. Обнаружено влияние относительного расположения квантовой ямы и delta-слоя на профиль концентрации и значения подвижности. Также обсуждается явление максвелловской релаксации в кольцевых диодных структурах на i-GaAs.
- Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский и др. ФТП, 46 (4), 500 (2012)
- В.И. Шашкин, Ф.В. Мурель. ФТП, 42 (4), 500 (2008)
- C.В. Тихов, И.А. Карпович и др. Тез. докл. ХV Междунар. симп. " Нанофизика и нанофотоника" (Н. Новгород, 2011) с. 365
- В.И. Зубков. Приложение к журналу " Вестник РГРТУ", N 4, ISSN 1995 (Рязань, 2009)
- В.В. Русаков, Г.Н. Травлеев. Микроэлектроника, 8 (2), 177 (1979)
- C.В. Тихов, Н.В. Байдусь и др. Тез. докл. ХV Междунар. симп. " Нанофизика и нанофотоника" (Н. Новгород, 2011) с. 399
- Г.И. Пека. Физика поверхности полупроводников (Киев, Изд-во Киев. ун-та, 1967) с. 192
- В.А. Алешкин, В.М. Данильцев и др. ФТП, 32 (6), 733 (1998)
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков. Учебное пособие для вузов (М., Высш. шк., 1977) с. 448
- В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1984) с. 252
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981) с. 281
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
