Впервые выращены и исследованы структуры, содержащие квантовую яму GaAsSb/GaAs и delta-слои марганца и углерода в покровном слое GaAs. Полученные гетеронаноструктуры имеют хорошее кристаллическое качество, что подтверждается рентгенодифракционным анализом и фотолюминесцентными исследованиями. Обнаружено, что при температурах ниже 20-25 K они обладают ферромагнитными свойствами, поскольку демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла и отрицательное магнетосопротивление. Профилирование элементного состава методом вторичной ионной масс-спектрометрии выявило противоположное влияние delta-легирования углеродом и марганцем покровного GaAs слоя на профиль квантовой ямы GaAsSb: введение углерода приводит к размытию гетерограницы GaAsSb/GaAs из-за сегрегации сурьмы, а легирование марганцем практически не оказывает влияния на профиль распределения сурьмы в квантовой яме.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.