Исследованы спектры рамановского рассеяния и ИК отражения кристаллов TlInS₂ и TlGaSe₂ в актуальных поляризациях. Рассчитаны контуры однофононных спектров отражения и определены параметры фононов, эффективные ионные заряды анионов и катионов, заряд Борна и диэлектрические постоянные. Определены давыдовские мультиплеты и построены схемы расщепления внутренних и внешних колебательных уровней в кристаллах TlInS₂ и TlGaSe₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.