Фотоэлектрические свойства пленок теллурида кадмия, подвергнутых лазерному облучению
Байдуллаева А.1, Даулетмуратов Б.К.1, Власенко А.И.1, Гнатюк В.А.1, Мозоль П.Е.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок CdTe, полученных методом вакуумного напыления и подвергнутых облучению импульсами излучения рубинового лазера длительностью 20 нс с плотностью мощности ниже порогов разрушения или плавления. Наблюдаемые увеличения фото- и темновой проводимости объясняются появлением слоя Te на поверхности CdTe после облучения. Эффект переключения с памятью и резкий скачок люкс-амперной характеристики при высоких уровнях возбуждения обусловлены образованием межгранульных границ, создающих поверхностно-барьерные структуры CdTe-Te.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.