Исследованы зависимости темновых вольт-амперных характеристик и спектров фотоответа гетероструктур n-GaAs-(n-p)-Al_xGa_1-xAs-p-Al_(y>x)Ga_1-yAs-p⁺-GaAs от состава фотоактивной области (x=0-0.7), толщины и состава слоя широкозонного окна p-Al_yGa_1-yAs (D=0-300 x, y=0.85-0.95) и толщины наружного слоя p⁺-GaAs (d=0-300 x). Установлено, что в таких структурах минимальные значения плотности обратных темновых токов jd~ 10^-12 А/см² достигаются при x=0.3 (T=300 K), а максимальные значения коэффициента собирания фотогенсрированных носителей в ультрафиолетовой области (при lambda=400 нм) Q_uv=0.75 имеют место при d, D=70 x, y=0.95 и x=0. Показано, что увеличение ультрафиолетовой чувствительности в этом случае обусловлено аккумулированием поверхностного объемного заряда в сильно легированном слое p⁺-GaAs и минимизацией потерь, связанных с поглощением света в слое широкозонного окна и наружном слое p⁺-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.