Методами низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ), рентгеновской топографии и дифрактометрии изучалось влияние состава твердого раствора на структуру и свойства эпитаксиальных слоев In_xGa_1-xAs для интервала составов (0.002=< x=< 0.01), полученных молекулярно-лучевой технологией. Показано, что по мере увеличения степени изовалентного легирования эпитаксиальных слоев на фоне релаксации внутренних напряжений путем введения дислокаций несоответствия наблюдается преобразование спектра ФЛ в области 1.3=< hnu=< 1.5 эВ, сопровождающееся немонотонным поведением интенсивности краевой полосы и квантового выхода ФЛ, связанное с изменением числа центров безызлучательной рекомбинации, а также перераспределением остаточной акцепторной примеси углерода (C_As) по глубине пленки вследствие геттерирующего влияния дислокаций несоответствия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.