Изучено накопление радиационных дефектов в полученном по методу Чохральского p-кремнии (rho = 3/20 Ом·см), легированном титаном, цирконием или гафнием. Экспериментальные результаты получены из холловских измерений и анализа температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда. Показано, что наличие в решетке кремния примесей переходных металлов IV группы приводит к изменению эффективности введения при облучении gamma-квантами ⁶⁰Co кислородо- и углеродосодержащих комплексов и скорости удаления бора из узлов. Результаты объясняются с учетом влияния полей упругих напряжений, создаваемых скоплениями атомов переходных металлов, на пространственное распределение по кристаллу фоновых примесей кислорода и углерода и миграцию подвижных радиационных дефектов при облучении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.