Рассмотрены захват и эмиссия носителей глубокими центрами вблизи интерфейса (поверхности кристалла, гетероперехода). Показано, что темпы эмиссии и захвата носителей на такие центры экспоненциально возрастают по мере приближения дефекта к интерфейсу.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.