Радиационно-термическое воздействие [облучение быстрыми нейтронами (Phi=10¹⁵-10¹⁶ см^-2) и последующий отжиг (T^*=100-350^oC, t=1 ч)] кристаллов p-GaAs<Zn> приводит к появлению в их Bспектре люминесценции относительно широкой (положение максимума излучения hnu_m~=1.38 эВ) с тонкой структурой (положение линий hnu = 1.4300, 1.4190, 1.4080, 1.3940, 1.3830 и 1.3720 эВ) полосы излучения. Отмеченная полоса люминесценции обусловлена стимулированным радиационно-термическим воздействием донорно-акцепторными парами V_AsZn_Ga - рекомбинация связанных в них электронов и дырок приводит к появлению широкой бесструктурной (вследствие эмиссии большого числа TA- и LO-фотонов) полосы излучения с hnu_m=1.38 эВ, а аннигиляция связанных на них экситонов обусловливает появление структурной (вследствие эмиссии небольшого числа TA- и LO-фононов) полосы излучения с положением бесфононной линии hnu₀=1.430 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.