Проведены исследования спектров фотолюминесценции гетероперехода II-типа n-Ga_0.89In_0.11As_0.1Sb_0.9/ N-GaSb, позволившие обнаружить эффективный канал излучательной рекомбинации на гетерогранице. Его возникновение связывается с локализацией неравновесных дырок на собственных глубоких акцепторных центрах в GaSb, расположенных в области изгиба энергетических зон у гетерограницы. Объяснение природы рекомбинационных переходов основывается на данных проведенного расчета энергетической зонной диаграммы рассматриваемого гетероперехода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.