Геометрия образца и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках
Ахиезер И.Т.1, Гуревич Ю.Г.1, Закиров Н.1
1Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
Выставление онлайн: 19 марта 1993 г.
Построена теория эффектов Холла и магнитосопротивления в слабых электрических и магнитных полях в полупроводниковых образцах конечных размеров. Предсказано существование вихревых электрических токов и магнитосопротивления в линейном по магнитному полю приближении. Получены критерии справедливости традиционной теории гальваномагнитных эффектов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.