Исследованы вольт-амперные характеристики вертикальных тонкопленочных монокристаллических p-n-переходов на основе PbS в температурном интервале 80-263 K. Обработка экспериментальных данных позволяет сделать вывод о наличии шунтирующего омического поверхностного сопротивления и влиянии инжектированных неосновных носителей на электропроводность материала пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.