Явление самовосстановления структуры имплантируемых полупроводников
Жуковский П.В.1
1Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 4 марта 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.
Приведены экспериментальные результаты по исследованию явления самовосстановления структуры имплантируемых слоев кремния и теллурида кадмия. Получены зависимости интенсивности света, отраженного от имплантируемой поверхности, и дозы аморфизации от температуры и интенсивности облучения, массы ионов и их типа (легирующая примесь или неактивная). Предложена феноменологическая модель, объясняющая полученные результаты.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.