Глубокие уровни и репродукция проводимости прямой гетероструктуры с селективным легированием после подачи отпирающего импульса напряжения на затвор
Горев Н.Б.1, Макарова Т.В.1, Прохоров Е.Ф.1, Уколов А.Т.1, Эппель В.И.1
1Институт технической механики Академии наук Украины,, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.
Для прямой гетероструктуры с селективным легированием AlxGa1-xAs/GaAs, в слое широкозонного материала которой имеются глубокие центры, проведен расчет уменьшения проводимости структуры вследствие увеличения заряда на глубоких центрах после подачи на затвор импульса отпирающего напряжения. Показано, что это уменьшение проводимости является заметным уже при сравнительно небольшой концентрации глубоких центров, причем по измерению этого уменьшения можно определять концентрацию глубоких центров и глубину их залегания.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук